深亚微米SOAN MOSFETs的高温应用分析与结构优化

摘要：

在300-600K温度范围内分析并模拟了栅长为100nm的SOI(Silicon On Insulator)和SOAN(Silicon On Aluminum Nitride)MOSFETs的输出特性和有源区温度分布,得出了SOAN器件更适合高温应用的结论;针对高温应用环境,对SOAN器件结构参数及工艺参数进行优化,得出了各个参数的优化值,并使用优化后参数仿真CMOS反相器的瞬态特性,结果显示在环境温度为300K和500K时,SOAN CMOS门极延迟分别为19ps、25.5ps;而SOI CMOS的门极延迟在相同的温度下分别为28.5ps、35.5ps.

关键词：高温、SOAN、SOI、结构优化

所属期刊栏目：14

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：西安-应用材料创新基金资助项目XA-AM-200514

在线出版日期：2008-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：871-876