脉冲阳极氧化工艺制作GaAs/AlGaAs宽条形半导体激光器

摘要：

研究了脉冲阳极氧化工艺的特性,并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器,器件阚值电流为0.35A,斜率效率为1.12W/A,与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22%,斜率效率提高了18%.

关键词：湿法刻蚀、脉冲阳极氧化、斜率效率

所属期刊栏目：14

分类号：TB308(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金60476026;60477010;高功率半导体激光国家重点实验室基金05ZS3606

在线出版日期：2008-12-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：859-863