短沟道SOI BJMOSFET的阈值电压

摘要：

提出了一种适用于短沟道SOI BJMOSFET阈值电压特性分析的电荷分享物理模型,详细讨论了短沟道SOI BJMOSFET背界面处于积累、反型以及全耗尽三种状态时的阈值电压,并利用Math-ematica软件进行数值模拟得到阚值电压的特性曲线.通过理论分析和计算机模拟,证明短沟道SOI BJMOSFET阈值电压的可控性很强,更适用于现代ULSI低压低功耗的要求.

关键词：短沟道、绝缘衬底上硅、双极MOS场效应晶体管、阈值电压

所属期刊栏目：14

分类号：TN32(半导体技术)

资助基金：湖南省自然科学基金计划资助05JJ30115

在线出版日期：2008-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：831-834