应用于体声波谐振器的ZnO薄膜结构和电学特性

摘要：

采用直流磁控溅射的方法制备了ZnO压电薄膜,并在双面抛光的熔融石英基片上制备了高次谐波体声波谐振器.x射线衍射结果显示ZnO压电薄膜C轴择优取向明显,衍射峰半高宽为0.1624°,显示出较好的结晶质量;扫描电镜分析观察到ZnO垂直于基片表面的柱形晶粒结构和较平滑的薄膜表面.体声波器件的电学测试结果显示器件具有很好的多模谐振特性,说明ZnO压电薄膜很好地激发出了厚度方向的纵声波,可应用于体声波器件和声表面波器件中.另外采用间接的方法得到ZnO压电薄膜在870MHz时的介电常数约为5.24,介电损耗因子为1.07,进一步减小介电损耗因子,可以提高器件的Q值.

关键词：氧化锌薄膜、压电、磁控溅射、X射线衍射、体声波谐振器

所属期刊栏目：14

分类号：TN304.055;TN752.6(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目90607012

在线出版日期：2008-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：821-826