期刊专题

10.3969/j.issn.1007-4252.2008.04.015

隧道再生半导体激光器内部温度场的三维分布

引用
针对隧道再生半导体激光器,建立了内部热源分布模型,利用有限元方法模拟计算了两有源区隧道再生半导体激光器瞬态和稳态三维温度分布.瞬态模拟结果表明,加电后几个s的时间内两个有源区的温升很小,在几个s到几十个ms的时间内温度上升很快,几百个ms以后温度达到稳态,与测量结果吻合.稳态模拟结果表明,稳态时温升集中在脊形电极内,靠近衬底的有源区温度始终高于靠近热沉的有源区的温度.沿腔长方向存在温差,在光反射腔面附近温度下降较快.芯片内最高温度出现在靠近衬底有源区的光出射腔面的脊形电极中心.

半导体激光器、三维温度分布、瞬态、稳态、隧道再生

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TN248.4(光电子技术、激光技术)

国家重点基础研究发展计划资助2006CB604902;国家"863"计划2004AA311030;十五国家科技攻关项目2003BA316A01-01-08;国家自然科学基金60506012;北京市科委重点项目D0404003040221;北京市教委项目kz200510005003;北京市人才强教计划项目05002015200504

2008-10-29(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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815-820

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2008,14(4)

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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
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