短沟道SiC MESFET亚阈值特性

摘要：

基于器件物理分析的方法,结合沟道电势二维解析模型,分析比较了漏极引致势垒降低效应(DIBL effect)对6H-及4H-SiC MESFET沟道势垒,阈值电压,以及亚阈值电流的影响,并研究了其温度特性.研究表明DIBL效应的存在使SiC MESFET的沟道势垒最小值随栅长及温度发生变化,并带来阈值电压及亚阈值电流的变化.栅长越大,温度越高,亚阚值倾斜因子Ns越小,栅压对沟道电流的控制能力增强,最终造成亚阈值电流随栅压的变化越快.

关键词：碳化硅MESFET、沟道电势、漏极引致势垒降低效应、阈值电压

所属期刊栏目：14

分类号：TN386(半导体技术)

资助基金：国防预研项目51308030201;国防预研项目51323040118

在线出版日期：2008-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：810-814