高电子迁移率晶体管太赫兹探测器特性

摘要：

计算了外加太赫兹(THz)辐射下高电子迁移晶体管(HEMT)的导纳和探测响应率与入射THz辐射频率的依赖关系.结果表明,随着栅下沟道长度的增大,导纳和响应率的峰出现红移,同时高度有所下降;随着栅电压的增大,导纳和响应率的峰出现蓝移,并且高度有所上升.这些研究在太赫兹等离子探测器的设计上有着重要的作用.

关键词：HEMT、terahertz、导纳、响应率

所属期刊栏目：14

分类号：TL814(粒子探测技术、辐射探测技术与核仪器仪表)

资助基金：国家杰出青年基金60425415;国家自然科学基金重大项目10390162;上海市优秀学科带头人计划A类,05XD14020

在线出版日期：2008-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：787-792