KOH热湿腐蚀法准确估算GaN的位错密度

摘要：

实验目的在于解决GaN外延层中六方形腐蚀坑起源问题存在的分歧,并利用腐蚀法准确地估计GaN的位错密度.大量对熔融KOH腐蚀GaN过程中表面形貌的演化以及温度和时间对腐蚀结果影响的实验结果表明,位错类型与腐蚀坑三维形状相对应,而与腐蚀坑大小无关,极性是GaN不同种类位错的腐蚀坑具有不同形状的决定性因素.使所有缺陷都显示出来所需的腐蚀温度和时间呈反比关系.腐蚀法估算GaN位错密度的准确性取决于优化的腐蚀条件和合理的微观观测方法.

关键词：位错密度、GaN、腐蚀坑密度、腐蚀机制

所属期刊栏目：14

分类号：O64;G40

资助基金：the National Key Basic Research and Development Program 973 Program of China 2002CB3119 and 513270407

在线出版日期：2008-10-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：742-750