10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.032
微流控芯片透光性基底SU8曝光工艺
研究了在透光性基底上直接光刻SU8光刻胶制作可实现光集成微流控芯片的工艺,讨论了基底厚度、透光性和样品承载台表面反射性等因素对透光性基底上SU8光刻图形质量的影响.研究结果表明,通过减少样品承载台表面对紫外光的反射,可有效的解决光刻胶内非定义曝光区域出现感光交联的问题.
微流控芯片、透光性基底、SU8光刻
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TB324(工程材料学)
王宽诚教育基金;中国科学院知识创新工程项目
2008-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
426-430