基于中间硅片厚度可控的三层阳极键合技术

摘要：

三层键合Glass-Silicon-Glass(GSG)结构在光MEMS、微惯性器件、微流体芯片、射频MEMS以及低成本圆片级封装技术领域里是一项重要技术.基于MEMS精密研磨抛光工艺和阳极键合,结合新型玻璃通孔的腐蚀工艺,开展了中间硅片厚度可控的三层阳极键合工艺研究,成功制备了带有通孔的GSG微流体器件.总厚度1360μm,中间硅片厚度60μm,通孔直径100μm,孔间距(圆孔的中心距离)200μm,孔内边缘圆滑无侧蚀.三层结构的键合几率为90%,为探索多层键合技术打下坚实基础.

关键词：GSG键合、研磨抛光工艺、微流体器件

所属期刊栏目：14

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金9140C1405020607

在线出版日期：2008-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：376-379