LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的工艺

摘要：

对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA.

关键词：LPCVD、多晶硅、掺P多晶硅

所属期刊栏目：14

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家重点实验室基金9140C1405020607

在线出版日期：2008-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：372-375