45 nm分辨率增强技术优化

摘要：

针对45nm节点的需求,系统分析和研究了该节点不同周期图形的成像规律,并采用了不同的分辨率增强技术进行对比研究,从中分析出最适合45nm不同周期图形的光刻方案.采用了传统的离轴照明技术及新照明方式进行对比,并结合交替式相移掩模、衰减式相移掩模及传统二元掩模进行分析,探讨了45nm节点不同周期图形的可实现性.通过优化光源参数,采用Y偏振,对比不同分辨率增强技术的组合,得出结论,采用双弧带照明,对于Y向Line/Speae图形,其焦深,对比度等参数均可满足45 nm节点需要.最后通过双底层抗反射层(DBARC)优化,减小了底层反射率,有效地降低了摇摆效应,提高了z向图形保真度.

关键词：分辨率增强技术、离轴照明、相移掩模、偏振

所属期刊栏目：14

分类号：TB308(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金10674134;教育部长江学者和创新研究团队计划PCSIRT;国家重点基础研究发展计划973计划2003CB716204

在线出版日期：2008-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：362-366