紫外光辐射在硅片表面活化键合中的应用

摘要：

在硅圆片表面亲水活化键合工艺中引入了紫外光照射并对其工艺参数和效果进行了评估.基于基本键合流程,通过对比实验,研究紫外光照与否,以及照射时间长短对硅片键合质量的影响.同时利用红外检测仪,拉伸强度测试仪以及原子力显微镜分别对键合面积,键合强度和表面粗糙度等因素进行了测定.此外,利用了承载率这一指标,对比了达到相同承载率时所需要克服的形变,以此对硅片的键合能力进行了评估.各项结果表明,硅片经过C波段和V波段的混合紫外光照射5min,相比于不经过紫外辐射的硅片,表面粗糙度得到了明显的改善,并获得最高的键合能力和拉伸强度.长时间的紫外辐射会破坏表面,进而影响其键合能力,使得拉伸强度降低.

关键词：表面活化、紫外辐射、表面粗糙度、承载率

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分类号：TN43(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB716207;国家自然科学基金50405033

在线出版日期：2008-06-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：353-357