10.3969/j.issn.1007-4252.2008.02.015
一种制作沟槽型同位素微电池表面电极的新工艺
开发了一种利用SU8胶剥离工艺制作沟槽型同位素微电池表面电极的新工艺,通过使用BP212正胶作为牺牲层,有效地解决了在制作沟槽型同位素微电池表面电极时,堆胶以及沟槽中SU8胶不易去除的难题.该工艺操作简单、可靠,成本低,因此具有很大的实用价值.
同位素微电池、SU8胶、剥离工艺、表面电极
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TN305(半导体技术)
国家自然科学基金50475153;教育部跨世纪优秀人才培养计划NCET-04-0266
2008-06-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共4页
349-352