ZnO压电薄膜的生长与应用

摘要：

本文实验研究了ZnO压电薄膜的生长与表征,运用XRD和SEM测试了磁控溅射生长的ZnO压电薄膜的C轴择优取向生长情况和晶粒质量,比较了Si、覆盖在si基底上的Al薄膜和SixNy薄膜三种材料衬底以及退火处理对ZnO薄膜的结晶质量的影响.还开发了仍然采用Al作为底电极但用一层SixNy薄膜与ZnO层隔离的MEMS压电器件的微制造工艺,以满足生长高质量的ZnO压电薄膜并与CMOS工艺兼容的要求.

关键词：ZnO薄膜、磁控溅射、退火、XRD、MEMS器件

所属期刊栏目：14

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：厦门大学校科研和教改项目

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：258-262