分子间作用力对硬盘磁头承载力的影响

摘要：

当硬盘驱动器的磁头飞高降至5nm以下时,磁头与磁盘间的分子间作用力不能忽略.以皮米磁头和飞米磁头为模型,模拟了分子间作用力对飞高低于5nm的磁头总承载力的影响.模拟结果表明,分子间作用力改变了飞高低于5nm的磁头承载特性.分子间吸引力使总承载力减小,甚至出现负值,以致使磁头失去承载能力.当飞高进一步降低时,分子间斥力的作用显现出来.由于分子间引力和斥力的作用范围不同,磁头有一段失去承载能力的临界飞高区间.磁头的尺寸因子不同,临界飞高区间也有差别.

关键词：磁头、分子间作用力、飞高

所属期刊栏目：14

分类号：TH117.2

资助基金：国家自然科学基金50505007

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：93-97