10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.031
钙钛矿结构氧化物电脉冲诱发可逆变阻机理的研究进展
系统论述了钙钛矿结构氧化物电脉冲诱发可逆变阻效应的非挥发存储机理,对三种物理模型:体效应模型、界面效应模型和导电畴隧穿模型进行了详细讨论,并提出了可逆变阻效应的实用化所面临的关键问题及其发展方向.
电脉冲诱发电阻转变、钙钛矿结构氧化物、庞磁电阻、电阻随机存取存储器
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TN304;O6386(半导体技术)
2008-04-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
677-682