FeCuNbSiB多层膜的磁化特性与巨磁阻抗效应

摘要：

用射频磁控溅射法制备了FeCuNbSiB多层膜,制备态样品的GMI效应在驱动电流频率为12MHz时达到最大,为44.3%.利用复数磁导率和等效电路讨论了该多层膜的磁化过程,及与GMI效应的关系.外加直流磁场抑制磁畴运动,在等效电路中与抵消并联电路相关.样品磁化的特征弛豫频率在12MHz左右,与出现最大磁阻抗变化的频率接近.

关键词：巨磁阻抗效应、磁导率、弛豫频率、等效电路

所属期刊栏目：13

分类号：O482.5;O442;O484(固体物理学)

资助基金：国家自然科学基金20575022;上海市科委资助项目0652nm036;上海市科学技术委员会启明星基金04QMX1422

在线出版日期：2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：666-670