非对称型门极换流晶闸管模拟

摘要：

建立了非对称型门极换流晶闸管器件模型,对其进行了工艺模拟和器件模拟.模拟结果表明,缓冲层与透明阳极各自区域中的杂质总量是决定GCT的通态压降的关键因素.通过协调各自区域的峰值掺杂浓度与厚度,可以合理地控制该区域的杂质总量,降低GCT的通态压降.n 基区 的寿命变化对器件的通态压降影响十分明显,辐照剂量的选取要折衷关断时间和通态压降的要求.

关键词：缓冲层、透明阳极、通态压降、寿命控制

所属期刊栏目：13

分类号：TN342.4(半导体技术)

在线出版日期：2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：661-665