ZnTe:Cu多晶薄膜结构和电性质

摘要：

用共蒸发法在室温下制备了ZnTe:Cu多晶薄膜,利用XRD、AFM和XPS等测试技术对样品进行了表征,研究了掺Cu浓度和退火温度对薄膜物相和晶粒度的影响,分析了薄膜表面的元素状态.根据铜离子的变价行为对异常的电阻率温度关系作了解释.并确定了最佳掺铜浓度和退火温度.

关键词：ZnTe:Cu多晶薄膜、共蒸发系统、结构、电阻率～温度

所属期刊栏目：13

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA513010;高等学校博士学科点专项科研项目20050610024;四川省应用基础计划研究项目2006J13-083

在线出版日期：2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：655-660