高压n LDMOS漂移区的设计研究

摘要：

讨论了漂移区长度及注入浓度等关键参数对于漏结击穿电压的影响,并详细分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.分析了矩形版图结构的LDMOS器件中,远离沟道一侧的漂移区阱长度对于击穿特性的影响.运用RESURF技术对 于高压LDMOS的漂移区进行设计和优化.研制出耐压170V的nLDMOSFET.并通过试验结果证明了分析的正确性.

关键词：RESURF、LDMOS、击穿电压

所属期刊栏目：13

分类号：TN386.1(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314705

在线出版日期：2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：635-639