10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.018
硅基PZT压电薄膜微开关的设计和制作
对硅基锆钛酸铅(PZT)压电薄膜微开关进行了结构和版图设计,根据MEMS加工工艺和标准硅基IC工艺的特点,获得了硅基PZT压电薄膜微悬臂梁结构系统工艺流程中的关键工艺技术和典型工艺条件,对多孔硅的选择性生长进行了较为详细的实验研究,最后成功的制备出硅基PZT压电薄膜微开关样品,这对集成化芯片系统的进一步发展打下了必要的良好的实验基础.
锆钛酸铅(PZT)、压电薄膜、微开关、多孔硅
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TN405(微电子学、集成电路(IC))
国家自然科学基金90207022;武器装备预研基金51411040105DZ0141
2008-04-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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