SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与60Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对

摘要：

利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管,并在ON偏置条件下分别对其进行了10keV X射线及60Coγ射线总剂量辐照实验.实验结果表明,在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和.实验分析并研究了这种现象的机理,并发现在较低的辐照剂量下60Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大,但在高剂量条件下 X射线造成的漂移量将超过60Coγ射线.

关键词：注氧隔离、绝缘体上硅(SOI)、总剂量辐射效应、MOS晶体管

所属期刊栏目：13

分类号：TB303(工程材料学)

在线出版日期：2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：599-603