部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐射效应的最恶劣偏置状态

摘要：

通过实验研究了部分耗尽SOI NMOSFET总剂量辐射效应与辐射时的偏置状态的关系,实验结果表明TG(Transition Gate)是最恶劣的偏置状态.随后分别用MEDICI模拟软件和数值模型模拟掩埋氧化层中的电场强度与空穴俘获率.模拟结果合理地解释了实验结果,掩埋氧化层中的高电场和高空穴俘获率是TG为最恶劣偏置状态的主要原因.

关键词：SOI、总剂量辐射、背沟道、掩埋氧化层

所属期刊栏目：13

分类号：TB303(工程材料学)

在线出版日期：2008-04-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：549-553