横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响

摘要：

从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB.

关键词：HBT、SiGe、横向尺寸、高频噪声

所属期刊栏目：13

分类号：TN322(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60376033;北京市教委科技发展计划项目KM200710005015

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：495-498