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10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.016

SiGe超快速软恢复功率开关二极管

引用
SiGe材料由于禁带带隙较窄和与Si工艺相兼容的优点,被广泛用于高频双极晶体管的制造中.实验把SiGe/Si异质结应用于功率器件方面,制造出了超快速软恢复SiGe/Si异质结功率开关二极管.与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性.30%Ge含量的SiGe二极管反向恢复时间比同结构的Si二极管缩了短四分之三,软度因子接近于1.这些性能的改进无需采用少子寿命控制技术,因而很容易集成于功率集成电路中.

SiGe/Si异质结、功率二极管、超快速、软恢复

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TN313(半导体技术)

国家自然科学基金50477012;陕西省教育厅资助项目05JK268

2007-12-17(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共5页

490-494

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2007,13(5)

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