非均匀退磁场对NiFe薄膜AMR元件性能的影响

摘要：

采用磁控溅射制备了NiFe各向异性磁电阻(AMR)薄膜,经过光学曝光及离子刻蚀将NiFe薄膜制成了宽度w=20μm、厚度t=20nm、长度l=2.5mm的AMR元件.测量了NiFe元件的磁电阻效应.考虑沿宽度方向退磁场的非均匀性,计算了磁电阻比率.结果表明,理论和实验符合.

关键词：各向异性磁电阻、AMR元件、非均匀退磁场

所属期刊栏目：13

分类号：TP211(自动化技术及设备)

资助基金：国家自然科学基金50471093;国防科技应用基础研究基金A1420060203

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：449-452