注氮、注氟SIMOX/NMOS器件辐射加固性能

摘要：

本文对注N、注F的SIMOX/NMOSFET器件的抗辐射特性进行了研究,发现两者都能减少埋氧层及其界面的空穴陷阱,对辐射加固有所改善,特别是对大剂量辐射的加固更为明显.总体来说,在此能量下,离子注入剂量越大,加固越好.由于注入的剂量对片子本身的阈值电压有很大影响,所以选择对于器件初始特性影响较小的剂量及能量非常重要.

关键词：SOI、MOSFET、辐射加固、离子注入

所属期刊栏目：13

分类号：TH7(仪器、仪表)

在线出版日期：2007-12-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：426-430