简单蚀刻法制备具有可控高度的金属纳米线阵列

摘要：

采用多孔阳极氧化铝(AAO)作为模板,运用电化学沉积法在模板的微孔中组装金属Ni纳米线,然后用磷铬酸蚀刻表层AAO模板,暴露出规整有序、具有可控长度的Ni纳米线阵列.分别用SEM、TEM与SAED对Ni纳米线阵列进行了表征.研究了蚀刻时间与AAO模板质量的减少及暴露出来的Ni纳米线阵列长度之间的关系.结果表明,磷铬酸是较NaOH溶液更为温和有效的AAO模板蚀刻剂,通过控制模板溶解时间,可以实现对裸露于AAO模板外纳米线长度的精细有效控制.该蚀刻方法普遍适用于以AAO为模板所制得的准一维纳米阵列结构.

关键词：纳米线阵列、电沉积、AAO、蚀刻、磷铬酸

所属期刊栏目：13

分类号：TB383(工程材料学)

资助基金：国家自然科学基金50473012

在线出版日期：2007-10-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：306-310