Nd:GGG晶体生长及组分过冷研究

摘要：

本文采用提拉法生长了Nd:GGG晶体,对晶体组分过冷产生机理进行了研究.扫描电镜及其能谱分析结果表明组分过冷在晶体中产生了空洞,不同部位空洞中的成分分别为Gd4Ga2O9、Gd3GaO6和GdGaO3,观察了因组分过冷产生的位错,并讨论了克服组分过冷的措施.

关键词：Nd:GGG晶体、组分过冷、SEM

所属期刊栏目：13

分类号：O782.6(晶体生长)

在线出版日期：2007-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：281-284