感应耦合等离子刻蚀InP工艺

摘要：

采用Cl2/CH4/N2感应耦合等离子体对InP进行了刻蚀.系统地讨论了RF功率、ICP功率、反应腔压力、气体流量等工艺参数对InP材料端面刻蚀的影响.通过优化工艺参数,获得了光滑垂直的InP刻蚀端面,刻蚀速率达到841 nm/min,与SiO2的选择比达到15:1.

关键词：干法刻蚀、感应耦合等离子体、InP、刻蚀端面

所属期刊栏目：13

分类号：TN305.7(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314903

在线出版日期：2007-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：276-280