具有加长LDD结构的高压CMOS器件

摘要：

基于中国科学院微电子研究所的0.8μm标准N阱CMOS工艺以及ISETCAD软件,模拟了具有加长LDD结构的高压CMOS器件.器件的击穿电压可以达到30V以上.加长的LDD结构是通过非自对准的源漏注入实现的.LDD区域的长度和该区域的掺杂浓度对器件击穿影响很大.对于不同的工作电压(10-20 V),实验给出了相应的LDD区域长度和该区域的注入剂量.只需要在标准工艺的基础上增加三层掩模版和相应的工艺步骤就能实现低高压工艺的兼容.而且对称结构和非对称结构(具有更大的驱动电流)器件都能实现.与LDMOS或DDDMOS工艺相比,节省了成本,而且所设计的高压器件尺寸较小,有利于集成.

关键词：高压CMOS器件、加长LDD结构、击穿电压

所属期刊栏目：13

分类号：TP3(计算技术、计算机技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314705

在线出版日期：2007-07-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：246-252