Ar气氛下直流磁控溅射ITO薄膜的结构和性能

摘要：

采用直流磁控溅射法在低温、100%Ar的无氧气氛中制备了光电性能优良的铟锡氧化物(ITO,In2O3:SnO2=90:10,质量百分比)薄膜,详细探讨了溅射时改变氩气压强对ITO薄膜结构以及光电性能的影响.结果表明:溅射时氩气压强越小,ITO薄膜的体心立方晶型越完整,导电性越好,但对可见光透过性的影响不大.当氩气压强为0.3Pa时,溅射薄膜性能最佳,其光透过率可达92.9%,电导率为8.9×10-4Ω·cm.

关键词：直流磁控溅射、ITO薄膜、氩气压强、电导率、透过率

所属期刊栏目：13

分类号：TN304.055(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2003AA32X140;广西新世纪十百千人才工程基金2003214;广西自然科学基金桂科自0542011

在线出版日期：2007-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：177-180