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10.3969/j.issn.1007-4252.2007.02.015

阴极恒电流法制备SmS光学薄膜

引用
以SmCl3·6H2O和Na2S2O3·5H2O为原料,采用电沉积法在单晶硅(100)和玻璃基板制备了SmS光学薄膜.采用XRD、AFM和紫外可见光分光光度计对薄膜进行了表征.研究了[Sm3+]/[S2O32-]、溶液的pH值对于薄膜的物相的影响.结果表明:在[Sm3+]/[S2O32-]=1:2,控制溶液pH值为4.50以及沉积1h的条件下,可制备出70nm厚单一晶相且表面比较平整的SmS薄膜,薄膜具有(331)方向的取向性.紫外光谱测试表明所制备的SmS薄膜具有290~300nm的紫外吸收特性,薄膜的禁带宽度约为3.6eV.

SmS、光学薄膜、电沉积

13

O484.4(固体物理学)

陕西省自然科学基金2005E109

2007-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

173-176

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功能材料与器件学报

1007-4252

31-1708/TB

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2007,13(2)

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