ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管

摘要：

报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层.实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3 cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材料.为此,本文对由电极材料和半导体材料间形成的接触电阻对OFET性能影响进行了分析.

关键词：有机场效应晶体管、ITO、聚酰亚胺

所属期刊栏目：13

分类号：TN386.6(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60676033

在线出版日期：2007-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：164-168