基于高阻硅衬底的微波传输线和数字移相器

摘要：

在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5～8.5GHz频带的四位数字移相器.测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5～15GHz频率范围内的插入损耗低于0.8dB/cm;在同样衬底上用混合集成技术制作的7.5～8.5GHz四位数字移相器的各状态插入损耗为(7.5±3)dB,回波损耗大于12dB,均方根(RMS)相位误差小于5°.具有良好的微波器件性能.

关键词：高阻硅、微带线、微波损耗、移相器

所属期刊栏目：13

分类号：TN81;TN454(无线电设备、电信设备)

资助基金：上海市应用材料研究与发展基金0503

在线出版日期：2007-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：155-158