10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.020
AlGaN基UV-LED的研究与进展
近年来短波长紫外LED巨大的应用价值引起了人们的高度关注,成为了全球半导体领域研究和投资的新热点.本文综合分析了AlGaN材料的生长、碎裂、掺杂和欧姆接触等问题,对UVLED的发展历程、技术路线和研究进展进行了详细介绍,并展望了未来发展方向.
UV-LED、AlGaN、AlInGaN、综述
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TN304.2;O475(半导体技术)
国家高技术研究发展计划863计划2004AA311040
2007-04-04(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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