OTFTs结构与器件性能

摘要：

在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源、漏电极位置对器件性能的影响.结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级.研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响.结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电场,可积累更多的电荷,以填充更多的陷阱,使器件的场效应迁移率和工作电流得到了明显的提高.

关键词：有机薄膜场效应晶体管、顶电极、底电极、迁移率

所属期刊栏目：13

分类号：TN321.5(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60176022;吉林省自然科学基金20020634;20040520-1;国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314703

在线出版日期：2007-04-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：82-85