全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型

摘要：

提出了一种简化的全耗尽SOI MOSFET阈值电压解析模型.该模型物理意义明确,形式简单,不需要非常复杂的计算.通过在不同条件下将本文的模拟结果和MEDICI模拟结果进行对比,验证了本模型的精确性.因此本模型对于器件物理特性的研究和工艺设计有很好的指导意义.

关键词：全耗尽SOI MOSFET、阈值电压、模型

所属期刊栏目：13

分类号：TN386(半导体技术)

在线出版日期：2007-04-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：73-77