InP低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响

摘要：

采用两步生长法用金属有机物气相外延技术在GaAs(100)衬底生长InP,用原子力显微镜探索了退火和未退火的低温缓冲层以及InP外延层的表面形貌,测量了他们的表面均方根值,讨论了低温缓冲层表面形貌随生长温度的变化以及退火对其表面形貌的影响,并分析外延层与低温缓冲层表面形貌的依赖关系,外延层表面形貌均方根值与XRD测量值一致,在450 ℃生长低温缓冲层,外延层有最好的表面形貌.

关键词：退火、原子力显微镜、均方根、低温缓冲层

所属期刊栏目：13

分类号：TN304.054(半导体技术)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划2003CB314901;国家高技术研究发展计划863计划2003AA318050;国家高技术研究发展计划863计划2003AA312020

在线出版日期：2007-04-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-28