基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT

摘要：

介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制.首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGe HBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz.

关键词：锗硅合金、异质结晶体管、高阻衬底

所属期刊栏目：12

分类号：TN325(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60476034

在线出版日期：2007-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：541-545