PECVD制备嵌埋在硅槽中的硅反Opal结构

摘要：

摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件,探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响.结果显示射频功率越小,流量越低,反应室压力越大,则反应速率越低,Opal结构内外填充越均匀.同时,在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下,沉积时间越长,Opal结构排列越规整,则整体填充越致密,越有利于反Opal结构的形成.

关键词：PECVD、反Opal结构、Si凹槽

所属期刊栏目：12

分类号：O734(晶体物理)

在线出版日期：2007-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：537-540