高质量GaN/Al2O3薄膜的三晶高分辨X射线衍射研究

摘要：

通过对常压MOCVD工艺下制备的GaN/Al2O3两种样品的X射线衍射分析,利用不同的掠入射角及倾斜ω扫描,精确测量了GaN薄膜的晶体结构和位错密度,据此提出了一种表征薄膜纵向位错密度的新方法.结果表明实验制备的GaN薄膜具有相当一致的c轴取向,对称衍射(002)面ω扫描半峰宽分别为229.8arcsec、225.7 arcsec;同时,根据倾斜对称ω扫描半峰宽分析认为样品A、B的位错密度分别约为4.0801×108/cm2,5.8724×108/cm2,其样品A的位错密度小于样品B,但PL谱给出样品A的发光效率低于样品B;而根据不同的掠入射ω扫描推断出样品A的位错密度大于样品B,与相应的发光性能吻合.

关键词：GaN、高分辨X射线衍射、位错密度、掠入射

所属期刊栏目：12

分类号：O471.4(半导体物理学)

资助基金：教育部高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划GG-430-11902-1010

在线出版日期：2007-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：524-528