SiC上Ti/Ni/Au多层金属的欧姆接触特性

摘要：

采用Ti/Ni/Au多层金属在高掺杂n型4H-SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形,通过传输线法(Transmission Line Method,TLM)测量得到的最小比接触电阻为1.4×10-5Ω·cm2,经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定.

关键词：碳化硅、欧姆接触、离子注入、传输线法

所属期刊栏目：12

分类号：O484(固体物理学)

资助基金：国家部委预研项目41308060105

在线出版日期：2007-01-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：498-500