10.3969/j.issn.1007-4252.2006.06.003
感应加热硅衬底上的金膜用于圆片键合
选用垂直于其表面的射频磁场对镀金膜的硅片进行了感应加热,由于磁场对材料加热具有选择性,感应热量首先作用于硅片上的金膜内,硅片先被传导加热到一定温度,然后被感应加热.理论上分析了该方法的可行性,初步试验结果表明,虽然金膜厚度低于感应趋肤深度,但在没有应用感应加热基座的情况下,几秒钟内就形成了金硅共晶相.另外,升温速度快,有效减少了加热过程中金对硅的扩散影响,该方法可广泛用于微系统封装中的圆片键合.
圆片键合、感应加热、金-硅共晶、微机电系统(MEMS)封装
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TN304.9(半导体技术)
High Technology Program of Science and Technology of China2004AA404221
2007-01-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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