SrMnO3阻挡层对La0.8Sr0.2MnO3/Si异质结整流特性的改善

摘要：

对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较.对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因.卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散.电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱.

关键词：p-n结、阻挡层、择优取向、整流特性

所属期刊栏目：12

分类号：O471.5;O472+.4;O475(半导体物理学)

资助基金：国家自然科学基金50502001;60576012;国家重点基础研究发展计划973计划2002CCC01300;北京市科技新星计划项目2004A10;北京市优秀人才培养基金20041D0501513

在线出版日期：2006-11-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：413-417