部分耗尽环栅CMOS/SOI总剂量辐射效应研究

摘要：

采用硅离子注入工艺对注氧隔离(SIMOX)材料进行改性,在改性材料和标准SIMOX材料上制作了部分耗尽环型栅CMOS/SOI反相器,并对其进行60Co γ射线总剂量辐照试验.结果表明,受到同样总剂量辐射后,改性材料制作的反相器与标准SIMOX材料制作的反相器相比,转换电压漂移小的多,亚阈漏电也得到明显改善,具有较高的抗总剂量辐射水平.

关键词：离子注入、注氧隔离、绝缘体上硅(SOI)、总剂量辐射效应

所属期刊栏目：12

分类号：TN386;TN405(半导体技术)

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：313-316