不同栅结构的部分耗尽NMOSFET/SIMOX的总剂量辐照效应研究

摘要：

研究了在改性注氧隔离(SIMOX)材料上制备的具有环栅和H型栅结构的部分耗尽NMOS晶体管在三种不同偏置状态的总剂量辐照效应.实验表明在10keV的X-射线总剂量辐照下,器件的背栅、正栅阈值电压负向漂移和漏电流都控制在较小的水平;在2Mrad(SiO2)的辐照下仍能正常工作.研究证实了无论哪种栅结构,对于背栅,PG均为最劣偏置,其次是OFF偏置,而ON偏置下器件受辐照的影响最小;而对于正栅,ON均为最劣偏置.通过拟合计算出了绝缘埋层(BOX,即埋氧)中的饱和净正电荷密度Not和空穴俘获分数α.

关键词：绝缘体上硅(SOI)、总剂量辐照效应、环栅结构、H型栅结构

所属期刊栏目：12

分类号：TN386.1(半导体技术)

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：308-312