脉冲激光沉积氮化铝薄膜的电学性能研究

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)技术在硅片上合成了AlN薄膜.X射线衍射(XRD)结果证实制备的AlN薄膜具有(002)择优取向的六方纤锌矿晶体结构,并且结晶质量随Si衬底温度的提高而改善.电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)、极化曲线结果表明室温生长的AlN薄膜的击穿场强约2.5MV/cm,同时呈现明显的极化现象(类铁电),对应矫顽场强为150kV/cm,剩余极化为0.002C/m2.晶态AlN存在较强的自发极化,薄膜中可动电荷密度高,据此提出了动态电荷模型,指出较大的AlN薄膜极化回线是由于可动电荷在电场中的再分布形成的,因而有别于铁电材料.

关键词：AlN薄膜、极化、电学性能

所属期刊栏目：12

分类号：O484.4(固体物理学)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G20000365;国家自然科学基金69976034;90101012

在线出版日期：2006-09-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：264-268