PTCDA/P-Si表面随温度变化的AFM研究

摘要：

利用AFM研究了在不同衬底温度及蒸发条件下制备的有机半导体材料PTCDA在P-Si(100)形成的薄膜讨论了其表面形貌及岛状晶核分布与生长温度之间的机理.

关键词：PTCDA/P-Si、AFM、表面形貌、岛密度、衬底温度

所属期刊栏目：12

分类号：TN383+.1(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金60276026;国家自然科学基金3ZS041-A25-001

在线出版日期：2006-07-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：225-228